为了满足实际应用，国家公告钠离子电池电极需要具有更长的使用寿命、国家公告更好的倍率性能和更高的能量密度，重要的是增强离子扩散并减少电化学反应过程对电极晶体结构的影响。
电网电虚线圆圈表示生成甲酸盐的活性位点。年第（H）FC和原始C（石墨烯模型）上ECR生成CO的自由能图。
此后，批设备讨论了三大类主要缺陷，批设备包括杂原子掺杂、原子/离子空位和晶界，从理论和实验两个方面揭示了各自独特的电子结构及其对电化学ECR性能的影响。这种观点的选择是基于这样一个事实，表及即所有固体都含缺陷，这些缺陷又会对材料的导电性，反应活性和选择性产生影响。用电 图9 ECR的金属和金属氧化物界面（A）Au-CeO2/C催化剂的高分辨率TEM图像。
（C）在各种KOH电解液浓度下的线性扫描伏安法扫描，信息显示在高KOH浓度下CO2的过电位低。采集图10 ECR的金属氢氧化物和碳基材料界面（A）Fe/O-C和Fe/N-C样品的荧光产率（FY）FeK-edgeXANES光谱。
图8 ECR的Au纳米颗粒中的晶界（A-C）根据两个相邻晶粒的取向差，中标将晶界分为（A）高角度晶面，（B）低角度晶面和（C）双晶面。
国家公告（D）在7MKOH电解液中对石墨/碳纳米颗粒/Cu/PTFE和石墨/Cu/PTFE电极的CO2-RR的乙烯法拉第效率的比较。Z-schemep-n型异质结构的优点是光生空穴的传输比n-n型异质结构更快，电网电这对提高光催化剂的光催化活性非常重要。
DFT计算获得了g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2的带隙、年第PDOS、吸收光谱、功函数和电荷密度差异。研究发现B掺杂g-C3N4是一种p型光催化剂，批设备其光催化能力优于g-C3N4。
g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2异质结构的功函数和电荷密度差异，表及表明其电荷转移机制是Z-scheme电荷转移机制。用电文献链接：AhighefficientZ-schemeB-dopedg-C3N4/SnS2photocatalystforCO2reductionreaction:Acomputationalstudy（JMCA,2018,DOI:10.1039/C8TA07352J）。
